GLOBAL PACKAGING FOUNDRY ALLIANCE • SUB-5μm ULTRA-FINE RDL QUALIFIED (예시 표기)

무어의 법칙을 넘어선 차세대 AI 연산
2.5D / 3D 첨단 이종 패키징 아키텍처

초거대 AI 가속기와 HBM4 고대역폭 메모리를 초저지연으로 연결하는 5µm 피치 실리콘 인터포저 및 초평탄 글래스 기판. 글로벌 탑티어 파운드리 및 팹리스 고객사의 초고집적 패키징 수율(Yield 99.85% — 예시 수치)을 목표로 합니다.

아래 네 수치는 모두 예시 수치입니다
최소 배선 피치
5 µm
L/S 2/2µm 목표 사양
CTE 열팽창계수
3.2 ppm/K
Silicon Matched Low-Strain
대면적 양산 수율
99.85%
Class 1 팹 목표 수율 (예시)
공급 레퍼런스
14곳
AI 가속기 고객사 (예시)
NANO ADVANCED 2.5D Interposer v2.5 Wafer in Cleanroom Packaging Stage
INTERPOSER V2.5 • Active Wafer Run
Micro-bump Pitch: 5 µm
Total Substrate Warpage: < 14.8 µm
Solder Co-planarity Pass (예시)
FAB SPEC: SUB-NANO STEP SCANNERLOT ID: #NA-2026-X80
Structural Micro-Architecture

이종 집적(Heterogeneous Integration) 4계층 분해도 탐색

상단 로직 칩셋의 고밀도 연산에서부터 바닥면 24층 FC-BGA 및 글래스 코어까지, 각 패키징 인터커넥트 레이어를 직접 선택하여 세부 나노 물성과 열 분산 경로를 검증하십시오.

LAYER 01 : TOP CHIPSET & HBM4
NANOMETER TOLERANCE: ±0.15µm

GPU/NPU Logic Die & HBM4 High-Density Stack

첨단 3nm/2nm 공정의 초대형 가속기 코어 다이와 최신 HBM4 스택이 집적되는 최상단 레이어입니다. 다이 간 간격(D2D)을 100µm 이내로 압축하고, 상단 직접 수랭식(Direct-to-Die) 히트싱크 접촉 인터페이스를 최적화하여 1,200W 초고발열 상태에서도 접합 신뢰성을 유지합니다.

열저항 (Thermal Resistance)
0.08 °C/W
신호 전송 대역폭
4.8 TB/s
기판 휨 (Warpage Spec)
< 12.4 µm
Process Lithography Node:Sub-3nm EUV Multi-Die Compatible
Underfill Capillary Flow Rate:0.42 mm/s (Zero Void Target)
Max Interconnect Capacitance:0.05 pF/mm (Ultra-low loss)
Packaging Breakthroughs

AI 하드웨어를 재정의하는 3대 핵심 플랫폼 기술

실리콘 인터포저의 미세 배선 한계 돌파부터 차세대 유리기판 양산, 하이브리드 본딩까지 턴키로 통합 제공합니다.

PILLAR 01 • SILICON INTERPOSER

Sub-5µm Fine Pitch Silicon Interposer

HBM4 인터페이스 규격에 정합하는 5µm 초미세 배선 피치(Line/Space 2/2µm)와 TSV 관통 전극을 통해 다이 간 4.8 TB/s(예시 수치) 수준의 대역폭 전송을 목표로 합니다.

  • 기생 커패시턴스 0.05pF/mm 이하 억제 (예시 수치)
  • TSV 밀도: 10,000 vias / mm² 초고집적 (예시 수치)
  • 4배 레티클(Reticle) 크기 대면적 스티칭 공정
PILLAR 02 • NEXT-GEN GLASS CORE

Ultra-Flat Glass Substrate Core

기존 유기 기판(FC-BGA)의 치명적 한계인 휨 현상을 50% 이상 저감(예시 수치)하는 것을 목표로 하며, 120×120mm 이상의 초대형 AI 칩셋 환경에서도 표면 평탄도 0.1µm 이하를 목표 사양(예시)으로 합니다.

  • TGV (Through Glass Via) 종횡비 10:1
  • 고주파 전송 유전 손실률(Loss Tangent) 1/3 단축 (예시 수치)
  • 강성 계수 3배 향상 (예시 수치) — 다이 크랙 억제
PILLAR 03 • WAFER-TO-WAFER

Hybrid Bonding Direct Cu-Cu

솔더 범프를 완전히 배제한 원자 단위 Cu-Cu 직접 접합(Direct Bond Interconnect) 기술로 배선 밀도를 10배 높이고 접속 저항을 0.01Ω 이하로 낮추는 것을 목표 사양(예시 수치)으로 합니다.

  • 범프리스 초미세 피치: 서브 9µm 인터커넥트 (예시 수치)
  • 에너지 소비(pJ/bit) 기존 대비 75% 절감 (예시 수치)
  • Die-to-Wafer / Wafer-to-Wafer 전 공정 지원
Online Architecture Simulator

AI 칩셋 패키지 발열 & 휨(Warpage) 실시간 시뮬레이터

목표 가속기 칩셋의 크기, HBM 적재 스택, TDP 소비전력을 설정하면 추천 패키징 공법과 예상 변형량을 화면에서 바로 계산해 보여 줍니다. 산출값은 모두 예시 수치입니다.

CALCULATOR ENGINE: 근사식 기반 예시 산출
850 W
300W (Edge HPC)1500W (Ultra Supercluster)
SIMULATION PREDICTION RESULTSFEASIBILITY: HIGH
총 패키지 인터커넥트 신호 대역폭
9.6 TB/s
HBM4 채널당 1.2 TB/s 고주파 저손실 라우팅 기준 (예시 산출)
예상 열 팽창 변형 휨 (Substrate Warpage)
< 16.3 µm
사내 관리 기준 (<30µm) 이내 · 예시
유리기판 코어 적층 시 유기 기판 대비 휨 58% 감소 가정 (예시 산출)
추천 최적 기판 솔루션 (Recommended Packaging)
Glass Core 10-Layer Hybrid Interposer Architecture
Quality Assurance Program

파운드리 생태계 인증 및 5단계 전수 검사 체계

파운드리 생태계 파트너 규격에 맞춘 99.85% 목표 양산 수율(예시 수치). 출하되는 모든 기판은 5단계 비파괴 나노 단층 검사를 거치는 구성입니다. 아래 인증 표기는 모두 예시입니다.

설계 생태계 파트너 (예시)파운드리 PDK 협력 프로그램 (예시 표기)
첨단 패키징 파트너 (예시)패키징 공급망 협력 등급 (예시 표기)
국제 표준 준수 (예시)반도체 장비·재료 표준 규격 기준
품질·환경 경영 인증 (예시)팹 품질·환경 경영 체계 (예시 표기)
01

고해상도 3D X-ray 비파괴 단층 검사

마이크로 솔더 내부의 미세 공극(Micro-void 0.001%)까지 실시간 투과 스캔하여 불량을 사전에 차단합니다.

Full-die Scanned (예시)
02

서브나노 레이저 공초점 휨 3D 맵핑

공초점 레이저 변위 센서로 120mm 대형 글래스 코어의 서브나노미터 표면 고저차 및 국소 휨을 정밀 측정합니다.

Resolution: 0.05 µm
03

1,000사이클 극저온-고온 열충격 검증

-65℃에서 +150℃를 오가는 가혹 환경 사이클로 접합 계면의 균열·박리 발생 여부를 확인하는 검증 절차입니다.

가혹 온도 사이클 검증 (예시)
04

고주파 TDR/VNA 신호 무결성 전수 계측

Vector Network Analyzer를 통해 고속 인터커넥트 라인의 임피던스 불연속성과 고주파 삽입 손실을 전수 판정합니다.

Bandwidth: Up to 112Gbps
05

클린룸 Class 1 이물 파티클 광학 자동 판별

AI 비전 기반 결함 검출 엔진이 나노 스케일 미세 잔여물 및 파티클을 0.1초 내 감지하는 검사 구성 예시입니다.

Class 1 청정도 기준 (예시)
Engineering Consultation

엔지니어링 평가 샘플 및 테크니컬 미팅 신청

차세대 반도체 아키텍처에 맞춘 2.5D/3D 패키징 샘플 웨이퍼 제작·수율 검토 미팅을 신청하는 화면입니다. 샘플 사이트라 실제로 접수되지 않습니다.

샘플 사이트입니다 — 입력하신 내용은 어디에도 전송되지 않습니다.